氮化镓外延片为第三代宽禁带半导体外延材料的典型代表，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和高化学稳定性等优异性能；广泛应用于新能源汽车、微波通信、轨道交通、航空航天、光电子等领域。