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- 产品名称：4英寸氮化镓复合衬底
- 产品型号：ST-ncH-Φ100
- 产品展商：其它品牌
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简单介绍
主要应用于MiniLED& MicroLED、车灯、激光器、功率器件、射频器件等领域。
产品描述
4英寸氮化镓复合衬底
GaN/ Al2O3 Substrates (4")
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产品型号
Item
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ST-ncY-Φ100
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ST-ncZ-Φ100
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ST-ncH-Φ100
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尺寸
Size (mm)
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Φ100.0±0.5 (4")
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衬底结构
Substrate Structure
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GaN on Sapphire(0001)
(Standard: SSP Option: DSP)
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厚度
Thickness (μm)
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4.5±0.5; 20±2;
Customized
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导电类型
Conduction Type
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Un-doped
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N-type
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High-doped N-type
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电阻率 (300K)
Resistivity (Ω·cm）
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≤0.5
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≤0.05
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≤0.01
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GaN厚度不均匀性
GaN Thickness Uniformity
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≤±10% (4")
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位错密度
Dislocation Density (cm-2)
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≤5×108
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有效面积 Useable Surface Area
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＞90%
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包装
Package
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Packaged in a class 100 clean room environment.
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