AIN陶瓷基板

近年来，集成电路及高功率LED器件行业飞速发展。随着功率器件工作电压及电流的增加，芯片尺寸的不断减小，芯片的功率密度急剧增加，散热问题已成为封装器件快速发展的瓶颈。氮化铝（AlN）具有优良的高热导性，且绝缘性能佳，是新一代基片的理想材料，更是解决大功率的LED器件、LD、晶体管、集成电路和IGBT等封装器件散热瓶颈的*优选材料。