等离子去胶系统

等离子体源

射频式电感耦合等离子体源或双频等离子体源

反应腔室

标准设计为双反应腔室，可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室结构

机械传片

单臂或双臂高精度机械手

Wafer升降

机械式Wafer pin升降结构，Wafer pin采用特定工艺处理

真空泵

干式真空泵，根据安装位置及工艺不同，选择100-600m³/h规格。如工艺需求，可增加分子泵。

工艺压力控制

自动调压蝶阀

真空检测

管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计

工艺气体种类

标准配置Ar、N2、O2，可增加CF4及其他工艺气体

气体流量控制

质量流量控制器（MFC）

反应腔室温度范围

50 - 280℃

控制系统

基于工业电脑设计开发的人机交互系统，系统设计人性化、操作简单