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- 产品名称：SiC高温氧化炉
- 产品型号：YY高温氧化炉
- 产品展商：燕园科技
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简单介绍
专用于SiC晶圆的高温氧化工艺，可实现晶圆片高温真空环境下完成氧化工艺。可使用O2,
N2O，NO，NO2或湿法氧化，采用无金属加热和真空装备。 适用工艺：氧化
产品描述
技术指标：
♦ 晶片尺寸：6-8英寸 Wafer size: 6-8 inches
♦ 制程温度范围: 800-1600°C Process temperature range: 800-1600°C
♦ 批次片数: 50-75片 Batch capacity: 50-75 pcs
产品特点：
♦ 采用立式结构、工艺控制好、温度分布均匀、气流稳定
The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable
♦Robot 自动传送
Robot Auto Transfer (Optional)
♦ 多点控温，温度均匀
Multi-point temperature control, uniform temperature
♦ 具有多种报警功能及设备保护功能
Has various alarm functions and safety protection functions